LP8841SC LP35118N Parameter Analysis of Switching Power Supply 12V6A 72W DEMO
高頻QR反激控制 ? 內(nèi)置高壓啟動電路 ? 內(nèi)置X電容放電功能 ? 優(yōu)異的EMI和音頻特性
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可以使用更小體積的變壓器，MOS溫度相同情況下，SiC的內(nèi)阻可以比COOLMOS的內(nèi)阻大； EMI滿足6DB以上需求；
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